董雷
,
张瑞康
,
江山
,
赵圣之
,
刘水华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl1/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响.基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm.
关键词:
等离子体刻蚀
,
干法刻蚀损伤
,
感应耦合等离子体
,
光荧光
张少军
,
孙连科
,
程瑞平
,
王青圃
,
赵圣之
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.1999.07.008
报道了一种新型高效率、低阈值激光晶体Nb:S-FAP的激光特性,利用染料激光和LD作为泵浦源,分别研究了Nd:S-FAP晶体激光器的脉冲和连续输出的激光特性,染料激光泵浦Nb:S-FAP激光器的泵浦阈值为2.5mJ,斜效率为49%;LD泵浦Nd:FAP激光器的泵浦值为9mW,斜效率为37.3%;LD泵浦Nd:S-FAP/KTP腔内倍频激光器的泵浦阈值为12.1mW,光-光转换效率为9.5%.
关键词:
Nd:S-FAP晶体
,
激光特性
