梁小燕
,
闵嘉华
,
赵岳
,
王长君
,
桑文斌
,
秦凯丰
,
胡冬妮
,
周晨莹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.001
本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究.结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性.在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%.Au/Cr电极器件的漏电流较低,~(241)Am射线下能谱响应更佳.分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.
关键词:
复合电极
,
金半接触
,
应力模拟分析
,
CZT探测器
梁小燕
,
闵嘉华
,
王长君
,
桑文斌
,
顾莹
,
赵岳
,
周晨莹
稀有金属材料与工程
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响.结果表明,在353～373 K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能,测试得到电极与CdZnTe接触势垒较低,接触电阻较小,欧姆系数最佳,并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能.而当热处理温度高于400 K时,Au电极沉积表面形貌明显变差,CdZnTe样品的漏电流大幅增加.这可能是由于随着热处理温度的增加,CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧,产生大量的Cd空位引起的.
关键词:
CdZnTe
,
M-S接触
,
热处理
,
真空蒸发
,
电学性能
李刚
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
钱永彪
,
施朱斌
,
戴灵恩
,
赵岳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.037
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In+Cd],同时[In+Cd]还与[v2-Cd]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
关键词:
碲锌镉
,
低温PL
,
深能级瞬态谱
,
缺陷能级
寇伍轩
,
赵岳
,
高崇杰
,
韩雪
,
翟兆辉
,
吴子剑
,
张明艳
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.04.003
首先通过溶胶-凝胶法将纳米二氧化硅(SiO2)包覆在羧基化处理后的多壁碳纳米管(MWCNTs)表面,形成具有核壳结构的SiO2@MWCNTs纳米尺度增强体,再将SiO2@MWCNTs核壳结构引入到环氧(EP)酸酐固化体系中制备了SiO2@MWCNTs/EP复合材料,研究SiO2@MWCNTs对复合材料力学性能和热性能的影响.结果表明:碳纳米管表面成功包覆了一层厚度约为24 nm的SiO2,包覆处理后的碳纳米管在环氧树脂中的分散性显著提高;当SiO2@MWCNTs掺杂量为0.5%和0.7%时,复合材料的冲击强度和弯曲强度分别达到最大值,比未改性的环氧树脂分别提高了101.4%和32.6%,同时复合材料的热稳定性也显著提高,说明包覆SiO2能有效提高MWCNTs的改性效果.
关键词:
环氧树脂
,
多壁碳纳米管
,
核壳结构
,
二氧化硅
,
纳米复合材料
郭昀
,
夏义本
,
闵嘉华
,
赵岳
,
王斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00717
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底, 通过超声雾化热解技术, 制备出直立片状晶体交叉构成的纳米ZnO薄膜, XRD和Raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构. 利用电子探针和穆斯堡尔谱, 研究了电气石衬底的化学组成和Fe离子的精细结构, ZnO的片状生长与极性电气石的表面电场作用相关, 随着电气石中Fe离子含量、价态和占位的变化, 晶体沿c轴的固有电偶极矩越高, 表面电场作用越强, ZnO纳米片的厚径比越小.
关键词:
ZnO纳米片
,
tourmaline substrate
,
surface electric field
,
electric dipole moment
闵嘉华
,
王斌
,
梁小燕
,
赵岳
,
朱正辉
,
胡思嫣
稀有金属材料与工程
在多孔Si上使用不同催化剂成功生长ZnO纳米结构.结果表明,Au作催化剂在Si衬底上得到末端呈六角形的ZnO纳米棒,Cu作催化剂在Si(100)和(111)分别上生长出带状和棒状纳米ZnO,Zn作催化剂在Si衬底上则获得ZnO纳米线.Zn催化制备的ZnO纳米线晶面间距为0.283nm,生长方向是[0110],具有结晶较好的六角纤锌矿晶体结构.比较了不同催化剂制备ZnO的光学性能,发现得到Zn催化制备的ZnO纳米线缺陷绿光峰最弱,因此Zn催化生长制备的纳米ZnO结构质量较好.空气中退火后,3种催化剂生长的纳米ZnO的缺陷发光峰位置不变,而强度变弱.
关键词:
纳米ZnO
,
金属催化剂
,
生长取向
,
光谱特性
李刚
,
桑文斌
,
闵嘉华1
,
钱永彪施朱斌1
,
戴灵恩
,
赵岳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01049
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品, 采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制. PL测试结果表明, 在In掺杂样品中, In原子占据了晶体中原有的Cd空位, 形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[InCd+], 同时 [InCd+]还与[VCd2-]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(InCd+-VCd2-)-]. DLTS分析表明, 掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级, 这个能级很可能是Te反位[TeCd]施主缺陷造成的.
由此, In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
关键词:
碲锌镉
,
low temperature PL
,
deep level transient spectroscopy
,
defect levels
郭昀
,
夏义本
,
闵嘉华
,
赵岳
,
王斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00717
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米ZnO薄膜,XRD和Raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔谱,研究了电气石衬底的化学组成和Fe离子的精细结构,ZnO的片状生长与极件电气石的表面电场作用相关,随着电气石中Fe离子含量、价态和占位的变化,晶体沿C轴的固有电偶极矩越高,表面电场作用越强,ZnO纳米片的厚径比越小.
关键词:
ZnO纳米片
,
电气石衬底
,
表面电场作用
,
电偶极矩
高崇杰
,
寇伍轩
,
赵岳
,
韩雪
,
张明艳
,
吴子剑
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.11.003
采用羧基功能化碳纳米管(C-MWNTs)和二氧化硅功能化碳纳米管(SiO2@MWNTs)对环氧树脂(EP)进行改性,利用扫描电镜(SEM)对碳纳米管在溶剂中的分散情况进行观察,利用透射电镜对MWNTs的包覆情况进行观察,利用傅里叶红外光谱仪对两种功能化的MWNTs进行表征,测试了复合材料的电气强度、介电常数、介质损耗、体积电阻率.结果表明:SiO2@MWNTs/EP复合材料的体积电阻率较C-MWNTs/EP复合材料的体积电阻率上升了4个数量级;SiO2@MWNTs/EP和C-MWNTs/EP复合材料的介电常数较EP均降低;SiO2@MWNTs/EP复合材料的介质损耗较C-MWNTs/EP复合材料降低;当MWNTs的质量分数为0.5％时,SiO2@MWNTs/EP复合材料的电气强度达到最大值21.5 kV/mm,同时SiO2@MWNTs/EP复合材料的绝缘性能优于C-MWNTs/EP复合材料.
关键词:
二氧化硅包覆
,
碳纳米管
,
环氧树脂
,
电性能
