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王斌 , 赵志德 , 隋妍萍 , 徐伟 , 于广辉
功能材料与器件学报
使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关.
关键词: 氮化镓 , 液相外延 , XRD
