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ZnO基紫外探测器的研究进展

赵懿琨 , 连洁 , 张飒飒 , 王公堂 , 宫文栎 , 于元勋 , 卜刚

材料导报

ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点.介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向.

关键词: ZnO薄膜 , 紫外探测器 , 宽带隙半导体