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检索条件:作者=赵智彪  

  • 论文(2)

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

赵智彪 , 齐鸣 , 朱福英 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.009

报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立...

关键词: 氮化镓 , RF-Plasma分子束外延 , 原子力显微镜 , X射线衍射分析 , 缓冲层

射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

赵智彪 , 齐鸣 , 朱福英 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.007

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高...

关键词: GaN , 分子束外延 , 原子力显微镜 , 光辅助湿法刻蚀 , 极性