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CVD方法制备ZnSe系统中尾气的处理

石红春 , 朱时珍 , 鲁泥藕 , 霍承松 , 赵永田 , 杨海

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.032

CVDZnSe是目前光学性能最好的红外光学材料之一.但在制备CVDZnSe时, 尾气中未反应完全的剧毒硒化氢气体, 对操作人员及环境的危害很大.采用逆流填料塔来吸收CVD方法制备ZnSe系统中的剧毒尾气硒化氢.为加快传质速率, 提高吸收率, 选用NaOH溶液作吸收液;利用H2Se气体与此溶液反应, 降低气体在水溶液中的浓度, 加大传质推动力;选择了具有高效分离因子的填料以减小塔身的高度和直径.并且对循环吸收液进行氧化, 双重过滤等处理.最后用型号为TX-FMD的H2Se检测仪测量处理后的尾气中H2Se气体的含量, 达到排放要求.

关键词: H2Se气体 , 逆流填料塔 , 化学吸收 , 传质

原生CVD ZnS 6.2 μm处吸收峰的消除及机理分析

付利刚 , 张福昌 , 魏乃光 , 赵永田 , 王学武 , 吕反修

人工晶体学报

原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2 μm处形成吸收峰.相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因.通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HIP处理过的ZnS一样的无Zn-H络合物的原生ZnS.本文依据Zn-H络合物产生的原因对沉积温度、压力等作用机理进行了分析,总结出进一步提高CVD ZnS质量的方法.

关键词: 原生CVD , ZnS , Zn-H络合物 , 吸收峰

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