赵浙
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叶志镇
材料导报
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.
关键词:
GaN薄膜
,
p型掺杂
,
综述
,
自补偿模型
,
共掺杂工艺
洪炜
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朱丽萍
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叶志镇
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唐海平
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倪贤锋
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赵浙
材料导报
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点.然而,GaN与Si之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制LED及其它电子器件结构生长的一个关键问题.近年来,随着工艺的发展,GaN晶体质量得到大幅度的提高.同时不少研究小组成功地在Si衬底上制造出LED.介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬底GaN基LED的研究进展.
关键词:
硅衬底 GaN LED 薄膜开裂
