叶甜春
,
谢常青
,
李兵
,
陈大鹏
,
陈朝晖
,
赵玲莉
,
胥兴才
,
刘训春
,
张绵
,
赵静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
关键词:
X射线光刻
,
PHEMT
,
T型栅
常桥稳
,
周悀
,
晏彩先
,
沈善问
,
赵静
,
情青松
,
姜婧
,
余娟
,
刘伟平
,
陈家林
贵金属
固体恸硝酰硝酸钌不含卤素、硫、磷等惦愌起催化剂中毒的元素，是制备用于煤化工行惄的负载型钌催化剂的理想前驱体。惣水合三氯化钌为原料，通过愌入恸硝酰基、除去氯离子、萃取提纯制备了固体恸硝酰硝酸钌，适于固体恸硝酰硝酸钌的规模化合成生产。
关键词:
有机化恘
,
固体恸硝酰硝酸钌
,
负载型钌催化剂
,
合成
,
结构
,
性质
王树林
,
黄志良
,
杨超
,
池汝安
,
石和彬
,
赵静
,
黄志杰
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2014.02.013
测定湖北某高磷铁矿的化学成分,分析各组分的赋存状态、含磷矿物的嵌布特征及其可实现的单体解离度.结果表明,磷主要以胶磷矿存在,大部分胶磷矿呈微细的包裹体嵌布在菱铁矿集合体中,少量沿菱铁矿和脉石之间分布,一般介于5～18 μm,通过选矿方法获得低磷铁精矿的难度极大.黄铁矿和磁铁矿中胶磷矿包裹体少可优先分选,菱铁矿和褐铁矿包裹较多的胶磷矿,很难单体解离,可以连生体形式产出.
关键词:
高磷铁矿
,
胶磷矿
,
赋存状态
王忠志
,
沈雷军
,
李波
,
高乐乐
,
周永勃
,
赵静
,
张国斌
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20130407
采用高温固相法成功合成了Y(V,P)O4:Ta荧光粉,并利用XRD,激发光谱和发射光谱对所合成粉体的物相结构及发光性能进行了表征.实验结果表明:粉体的结构属于锆英石结构;粉体在310 nm波长的激发下,发射光谱的主峰位于450 nm,属于Ta5+的3p63d10→3p53d104d1跃迁,当n(V)/n(P)为0.3/0.7和Ta5+的摩尔掺杂浓度为0.01时,粉体的发光性能最佳;用不同浓度NH4 NO3做助熔剂制备YV0.3 P0.7 O4:Ta0.015+荧光粉,发现NH4NO3的摩尔浓度为5％时,粉体的发光强度最强.
关键词:
YVxP1-xO4∶Tax蓝色荧光粉
,
近紫外光激发
,
发光性能
,
制备
,
稀土
陈兰珍
,
李桂芬
,
薛晓锋
,
吴黎明
,
赵静
,
黄京平
,
袁汉成
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2008.06.017
比较了高氯酸提取、热水提取和热硫酸镁溶液提取3种提取方式对蜂王浆中磷酸腺苷三磷酸腺苷(ATP)、二磷酸腺苷(ADP)和单磷酸腺苷(AMP)的提取效果,发现在低温(低于4 ℃)下以5%高氯酸的提取效果最佳.采用超高效液相色谱-紫外检测法分析蜂王浆中的ATP, ADP和AMP的含量.以BEH Shield RP18柱(100 mm×2.1 mm,1.7 μm)为分析柱,以50 mmol/L的磷酸二氢铵(pH 6.5)和乙腈为流动相进行梯度洗脱,3种磷酸腺苷在4 min内实现了较好的分离.以加标王浆样品作添加回收率测定,ATP, ADP和AMP的回收率分别为84.1%～94.3%,86.2%～93.7%和91.0%～104.3%,相对标准偏差均小于10%.方法已被用于一些实际样品的分析,以了解ATP, ADP和AMP在蜂王浆样品中的分布情况.
关键词:
超高效液相色谱
,
磷酸腺苷
,
蜂王浆
,
提取
刘春波
,
赵静
,
苏斌
,
车广波
,
李春梅
,
袁晶
,
李丽丽
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122706.0742
Re(Ⅰ)配合物能够产生较好的自旋轨道耦合,其内量子效率在理论上可以达到100％,比荧光材料高3倍.因其具有相对短的激发态寿命、室温下高的磷光量子效率、较好的热稳定性和化学稳定性等优点使其被广泛关注.文章对Re(Ⅰ)配合物在有机电致发光器件中的研究进展进行了综述,并对Re(Ⅰ)配合物分子设计与电致发光器件的发展前景进行了展望.
关键词:
Re(Ⅰ)配合物
,
电致发光
,
器件
何晓智
,
周群华
,
赵静
,
田梅
,
张宝砚
高分子材料科学与工程
文中设计与合成了国内未见报道的单体M1、M2和系列手性液晶聚合物。通过差示扫描量热（DSC）、偏光显微分析（POM）、广角X射线衍射、旋光仪等测试手段研究了单体M1和手性液晶聚合物液晶性能。结果表明,M1为向列型液晶单体,M2为手性非液晶单体。聚合物P2-P4呈现近晶A相,P5,P6为胆甾相,P7的液晶性能已不明显,聚合物P8已没有液晶性能。具有宽的液晶相范围,液晶相范围均高于140℃。随着手性单体M2含量（0%-50%）的增加,聚合物的玻璃化转变温度、清亮点温度、液晶相范围均呈现降低趋势。
关键词:
手性
,
近晶相
,
玻璃化温度
,
聚合物
,
合成
赵静
,
刘丽杰
,
蔡宁
,
薛俊明
,
赵颖
人工晶体学报
以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO: Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响.结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一.随Al: Zn原子比从0: 100变化至8.0: 100,电阻率呈现先递减后递增的规律.当Al: Zn原子比为4.0: 100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3 Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高.为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成.
关键词:
ZnO
,
掺杂
,
电学特性
王智平
,
田禾青
,
王克振
,
赵静
,
熊文嘉
人工晶体学报
以钾明矾(KAl(SO4)2·12H2O)为基元,分别加入不同质量比例的七水硫酸镁(MgSO4·7H2O)和芒硝(NaSO4·10H2O)混合均匀后加热融化,研究制备出的低共熔材料的相变温度、潜热释放平台及过冷和相分离变化情况.结果表明,七水硫酸镁和钾明矾在任意比例下的混合都能制得低共熔相变储热材料,共晶点在质量比5∶5附近,相变温度41.19℃,持续放热时间长,过冷度1.15℃,无相分离现象出现；而以芒硝与钾明矾混合制备低共熔相变储热材料,共晶点在质量比2∶8附近,相变温度50.10℃,过冷度1.2℃且无相分离现象出现.这两种处于共晶点成分(附近)的低共熔相变储热材料都是很有潜力的低温相变储热材料.
关键词:
低共熔相变储热材料
,
钾明矾
,
相变温度
,
放热时间
,
相分离
