辛国锋
,
花吉珍
,
陈国鹰
,
康志龙
,
安振峰
,
冯荣珠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.027
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.
关键词:
高功率
,
金属有机化合物气相淀积
,
半导体激光器阵列
,
单量子阱
