辛荣生
,
林钰
,
蔡彬
,
胡斌
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.02.018
采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响.对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能.X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5Pa时的XRD图衍射峰更为明显.用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱.由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移.根据 XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm.表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变.
关键词:
磁控溅射
,
TiO2薄膜
,
润湿角
,
禁带宽度
辛荣生
,
林钰
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.026
研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、 溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响.实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330 ℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm·min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4 Ω·cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数.
关键词:
磁控溅射
,
ITO膜
,
电阻率
,
透光率
