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Cs4Sn5S12的溶剂热合成与表征

白音孟和 , 刘芳 , 达力玛 , 包永胜

人工晶体学报

利用溶剂热法合成了硫代锡酸铯Cs4Sn5S12,单晶X-射线衍射结果表明Cs4Sn5S12属正交晶系,Pbca空间群,a=1.4232(4) nm,b=1.3161 (4) nm,c =1.6372(5) nm,α=90°,Z=4.化合物Cs4 Sn5S12中含有由八面体SnS6和三角双锥SnS5连接形成的层状阴离子[Sn5S12]4-∞.[Sn5S12]4-∞结构中有两种类型硫原子:连接六配位锡原子和五配位锡原子的硫原子以及只与两个五配位锡原子相连的硫原子.紫外-可见漫反射光谱表明Cs4Sn5S12为半导体,禁带宽度为2.3 eV.

关键词: 硫代锡酸盐 , 溶剂热合成 , 表征

锡硫属化物[M(en)3]2[Sn2Se4S2](M=Mn,Co)的溶剂热合成,晶体结构与性质表征

达力玛 , 白音孟和

人工晶体学报

在乙二胺溶剂体系中,180 ℃条件下合成了两种化合物[Mn (en)3]2[Sn2Se4S2](1)和[Co(en)3]2[Sn2Se4S2](2).通过X-射线单晶衍射、SEM、IR、TGA和UV-Vis等手段对其进行了表征.X-射线单晶衍射结果表明化合物1和2是类质同晶,均为正交晶系,并属于Pbca空间群,结构中均含有Sn和两种硫属元素S、Se组成的二聚体阴离子[Sn2Se4S2]2-.两种晶体的晶胞参数分别为:化合物1,a=1.6020(8) nm,b=1.1842(6) nm,c=1.9658(10) nm,Z=8;化合物2,a=1.549t(5) nm,b=1.1688(4) nm,c=1.18666(6) nm,Z=8.紫外-可见漫反射光谱研究结果表明,化合物1和2的禁带宽度分别为1.54 eV和1.64 eV,均有半导体性能.

关键词: 溶剂热合成 , 锡硫属化物 , 晶体结构 , 表征

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