邓云龙
,
廖常俊
,
刘颂豪
,
范广涵
,
文尚胜
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.015
本文对典型结构高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析,结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展,而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出,因此引入较厚顶层和底层是提高LED的外量子效率的有效手段.最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的LED的外量子效率,这两类LED最大外量子效率分别为12.05%和20.12%.
关键词:
HB-LED
,
内量子效率
,
外量子效率
,
电流密度分布
