张富春
,
邓周虎
,
阎军锋
,
王雪文
,
张志勇
功能材料
根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.
关键词:
ZnO
,
密度泛函
,
电子结构
,
掺杂
,
光吸收边
,
Burstein-Moss移动
贠江妮
,
张志勇
,
邓周虎
,
张富春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.012
计算了SrTiO3-δ(δ=0,δ=0.125)体系电子结构,分析了氧空位对SrTiO3晶体的价键结构、能带、态密度、分波态密度、差分电荷密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:当氧空位浓度δ=0.125时,空位在母体化合物SrTiO3中引入了大量的传导电子,费米能级进入导带,体系显示金属型导电性.由于空位掺杂,导带底附近的态密度发生了畸变,刚性能带模型不再适合描述SrTiO2.875体系.同时,在导带底附近距离费米能级0.3eV处引入了空位能级,这和实验测得的SrTiO3材料内中性氧空位的电离能约为0.4eV相符.此外,Mulliken布局分析、分波态密度和差分电荷密度分析表明,该空位能级主要由与其最近邻的两个Ti原子的3d电子态贡献,并且由该空位引入的导电电子大部分都局域在空位最近邻的两个Ti原子周围.最后,计算了三种典型平衡条件下SrTiO3晶体内中性氧空位的形成能.
关键词:
第一性原理计算
,
氧空位
,
电子结构
,
形成能
张富春
,
邓周虎
,
允江妮
,
阎军峰
,
张威虎
,
张志勇
功能材料
计算了外压调制下ZnO体系电子结构特性,分析了外压对ZnO电子结构的影响.所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.结果表明:随着压力的逐渐增大,Zn-O键长缩短,价带与导带分别向低能和高能方向漂移,带内各峰发生小的劈裂,带隙Eg明显展宽,Zn的3d电子与O的2p电子杂化增强.
关键词:
ZnO
,
第一性原理
,
电子结构
,
调制
,
应力
景钰洲
,
王雪文
,
杨怡
,
赵武
,
邓周虎
硅酸盐通报
采用低成本、易操作的溶胶-凝胶法制备高质量的GaN纳米线.以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶,甩胶于覆有催化剂的Si(111)衬底上,在氨气气氛下制备出GaN纳米线.利用XRD、SEM、TEM、EDS等对GaN纳米线进行表征与分析,结果表明1000℃氨化温度下,制备出的纳米线结晶度好,形貌优.并研究了催化生长GaN纳米线的生长机理.
关键词:
GaN纳米线
,
溶胶-凝胶
,
生长机理
