邓江辉
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
郭楠
,
李佳伟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.01.016
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为...
关键词:
非线性红外光学晶体
,
砷锗镉
,
腐蚀剂
,
蚀坑形貌
