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电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响

邢丹旭 , 张昌文 , 王培吉

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 eV,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 eV,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO2材料导电性能...

关键词: SnO2 , N掺杂 , 电子和空穴注入 , 光电性能