张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
邢小东
,
林耀望
,
姚江宏
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.003
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2...
关键词:
兼容性
,
调制掺杂GaAs
,
InP/InP外延材料
,
高电子迁移率
,
分子束外延
,
固体磷源
