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常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究

邢帅 , 刘钟馨 , 姜宏 , 熊春荣

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005

以C4 H4 SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征.XR...

关键词: 化学气相沉积 , 薄膜 , 掺杂量 , 基板温度