张新
,
高勇
,
刘梦新
,
安涛
,
王彩琳
,
邢昆山
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.05.007
硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃.而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制.介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应.为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果.同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据.
关键词:
SOI
,
埋层结构
,
自加热效应
,
高温特性
张新
,
高勇
,
王彩琳
,
邢昆山
,
安涛
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2005.03.015
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术[1],是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料技术.介绍了SOI材料结构技术用于微电子器件的优势、SOI结构及基于SOI结构材料的兵器微电子技术应用,展望了SOI技术的发展前景.
关键词:
SOI材料技术
,
SOI结构
,
兵器微电子技术
