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在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪...

关键词: SOI材料 , 氧化铪 , 薄膜

Zintl相材料热电性能的研究及其最新进展

杨艳 , 邢玉梅 , 曾志刚 , 张春 , 杨鹏辉 , 胡志宇

材料导报

Zintl相热电材料符合"电子晶体-声子玻璃(Electron crystal-phonon glass,简称PGEC)"的概念,其中阴离子区域充当"电子晶体",阳离子区域充当"声子玻璃",分别控制材料的电导和热导特性,可实现通过多途径提高其热电性能,是非常具有开发前景的热电材料.详细总结了近年来发...

关键词: Zintl相 , 热电材料 , 热导率 , 电导率 , 热电优值

稀土-石墨层间化合物的合成和应用前景

邢玉梅 , 田军 , 邵鑫 , 王丽娟

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.06.016

本文综述了关于稀土-石墨层间化合物的研究成果和最新研究进展,着重介绍了稀土-石墨层间化合物的合成和应用前景.对石墨、稀土-石墨层间化合物在润滑、密封方面的应用作了详尽的介绍和预测.

关键词: 稀土 , 石墨层间化合物 , 合成 , 润滑 , 密封

高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

邢玉梅 , 俞跃辉 , 林梓鑫 , 宋朝瑞 , 杨文伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.010

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结...

关键词: 碳化硅 , 离子束合成 , 埋层

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在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

Zintl相材料热电性能的研究及其最新进展

稀土-石墨层间化合物的合成和应用前景

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