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12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究

朱亮 , 周旗钢 , 戴小林 , 张果虎 , 曹建伟 , 邱敏秀

人工晶体学报

集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.

关键词: 直拉法 , 硅单晶 , 液面位置