熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
厚度
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
发光特性
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
生长速率
李美成
,
邱永鑫
,
李洪明
,
赵连城
稀有金属材料与工程
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3 nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370 nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4 eV.试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370 nm处.光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光.
关键词:
AlGaN/GaN超晶格
,
微观结构
,
吸收光谱
,
光致发光
邱永鑫
,
李美成
,
熊敏
,
张宝顺
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
关键词:
分子束外延
,
异质结
,
超品格
,
Sb/As交换反应
邱永鑫
,
李美成
,
赵连城
功能材料
介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象.
关键词:
应变层超晶格
,
InAs/GaInSb
,
界面结构
,
分子束外延
