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ADS 模式低存储电容像素设计

栗鹏 , 朴正淏 , 金熙哲 , 金在光 , 尚飞 , 邱海军 , 高文宝 , 韩乾浩

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173201.0019

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明:当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30%~40%.实验结果表明:采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%.

关键词: 高级超维场转换技术 , Dual Gate GOA , 4K TV , 存储电容 , 双条形电极

TFT-LCD横向线状未确认Mura分析及改善研究

徐伟 , 彭毅雯 , 雷有华 , 邱海军

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0539

研究了产品开发过程中新出现的一种原因未知的横向线状Mura问题.通过分析和改善研究表明,Gate Fan-out区域栅极线金属交替布线设计中不同金属层线电阻差异是导致横向线状未确认Mura发生的主要原因;通过变更栅极线金属层厚度及材料,以降低整体电阻和不同金属层线电阻差异可以解决此种不良现象;并通过试验论证此方法的量产可行性.

关键词: 横向线状Mura , 扇形区域 , 栅极线金属层交替布线

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