材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.

关键词: ZnO/Si异质结构 , 氧离子束辅助PLD , X射线光电子能谱(XPS)

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

李庚伟 , 吴正龙 , 邵素珍 , 张建辉 , 刘志凯

材料导报

利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.

关键词: ZnO/Si异质结构氧离子束辅助PLD X射线衍射 X射线摇摆曲线分析 X射线光电子能谱半高宽度c轴单一取向

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析

李庚伟 , 吴正龙 , 邵素珍 , 刘志凯

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.05.023

对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.

关键词: ZnO/Si异质结构 , 氧离子束辅助(O+-assisted)PLD , X射线光电子能谱(XPS) , 深度剖析

材料期刊网

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS探究

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词