李世宁
,
邹凤君
,
王丽娟
,
何维威
,
闫闯
,
黄普林
,
孙洋
,
孙丽晶
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0052
超薄显示技术已成为市场的一种主流趋势.本文利用刻蚀后清洗的间歇式工艺研究了显示屏半成品的化学减薄.在光刻胶和边框胶保护下,调整氢氟酸浓度,加入一定量的硝酸、浓硫酸和盐酸,并添加超声辅助条件,刻蚀速率明显提高.通过交替的清洗工艺有效地降低了表面粗糙度,并减少了表面白色附着物的沉淀.显示屏厚度从0.8 mm减薄到0.3 mm,基板表面粗糙度为11.32 nm,厚度均匀性为4.76％.设计的间歇式减薄工艺可以应用到现有的显示屏生产工艺中,为制作超薄液晶显示屏和超薄有机发光显示屏提供了一条可行的方案.
关键词:
显示屏
,
化学减薄
,
间歇式工艺
,
刻蚀
李亨利
,
都昊
,
王丽娟
,
张玉婷
,
李一平
,
邹凤君
,
宋贵才
,
宋晓峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163102.0157
因酞菁薄膜平面具有多电子共轭大π键结构,本文采用异质诱导的方式对酞菁薄膜的生长特性进行了改善研究.采用高掺杂硅为栅极,氧化硅为绝缘层,生长α-四噻吩或p-六联苯薄膜为异质诱导层,制备了酞菁铜有机薄膜晶体管.利用原子力显微镜研究薄膜生长特性,并对比研究了2种诱导层对薄膜晶体管性能的影响.实验结果表明:α-四噻吩上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈片状,而p六联苯上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈针状,均与单层酞菁铜棒状形貌不同.同时,α-四噻吩与p六联苯薄膜上生长酞菁铜后,两者晶体管电性能都有不同程度的提高,均比单层酞菁铜提高了1～2个数量级,表明α-四噻吩或p-六联苯对酞菁铜薄膜均有诱导效应,可以获得高性能的有机薄膜晶体管.
关键词:
α-四噻吩
,
p六联苯薄膜
,
酞菁铜
,
有机薄膜晶体管
,
诱导效应
