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Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响

文思逸 , 邹苑庄 , 胡飞 , 文圆

人工晶体学报

采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度...

关键词: 电化学掺杂 , Cu2O薄膜 , 载流子浓度 , 光稳定性 , 载流子寿命