张兆春
,
邹陆军
,
崔得良
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.007
对在450 ℃条件下进行1 h普通烧结制得的纳米GaP块体(～51 nm)的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ)与频率(f)、温度(T)的关系进行了研究. 测量结果表明: 烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响; 几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论. 在介电特性温度谱图上出现极值, 表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制; 同时, 介电特性温度谱图上附加峰的出现预示着纳米GaP块体存在某种复合缺陷.
关键词:
纳米
,
GaP
,
相对介电常数
,
介电损耗
