陈婷婷
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王广宁
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黄东亮
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郎颖
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张锷
人工晶体学报
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米串.扫描电镜观察到InAlO3 (ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80 ~ 150 nm,长度约为7~20 μm.X射线衍射结果表明样品具有InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米结构.高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制.在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质.
关键词:
InAlO3 (ZnO)15
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化学气相沉积法
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电学性质