柳洋
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任国仲
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宿太超
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马红安
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邓乐
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姜一平
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郑世钊
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林乐静
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秦丙克
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贾晓鹏
材料研究学报
在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba0.32CO4Sb12-xTex(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质.结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba0.32Co4Sb12-xTex为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加.Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高.在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba0.32CO4Sb11.9Te0.1化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm-1K-2).
关键词:
无机非金属材料
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热电材料
,
方钴矿
,
功率因子
,
高温高压
姜一平
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贾晓鹏
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马红安
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邓乐
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郑世钊
功能材料
采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律.室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析.电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低.功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高.CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm·K2).
关键词:
方钴矿
,
高温高压
,
热电材料
