樊浩天
,
宿太超
,
李洪涛
,
朱红玉
,
郑友进
,
刘丙国
,
胡美华
,
李尚升
,
马红安
,
贾晓鹏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅱ).008
采用高压合成技术,制备出了热电材料AgSbTe2,并且研究了AgSbTe2样品微结构和高温电学输运性质.X 射线衍射测试结果表明,高压合成的AgSbTe2样品中含有微量的Sb2 Te3,电子能谱测试结果表明Ag、Sb、Te 3种元素分布很均匀.电学性能测试表明,在高压的作用下,AgSbTe2样品的载流子浓度增大；随着测试温度的升高,电导率降低,Seebeck系数增大.4 GPa高压合成的AgSbTe2样品在573 K温度下具有最高的功率因子(约18．1μW/(cm?K2)).
关键词:
高压
,
微结构
,
电学性能
,
AgSbTe2
,
功率因子
李小雷
,
马红安
,
郑友进
,
刘万强
,
左桂鸿
,
李吉刚
,
李尚升
,
贾晓鹏
材料研究学报
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,
研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响. 结果表明:
高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,
在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;
将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;
在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷内部存在2.0GPa的残余压应力,
其原因是在高压烧结AlN陶瓷出现了晶格畸变
关键词:
无机非金属材料
,
High pressure sintering
,
microstructure
李小雷
,
马红安
,
郑友进
,
刘万强
,
左桂鸿
,
李吉刚
,
李尚生
,
贾晓鹏
功能材料
利用国产六面顶压机在5.0GPa,1300～1800℃条件下实现了以La2O3为助剂的AlN陶瓷体的高压低温烧结.用XRD、SEM、微区拉曼光谱对AlN高压烧结体进行了表征.研究表明,高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间,烧结温度最低温度达到1300℃,可比传统烧结方法降低300℃以上,AlN高压烧结体的晶格常数比粉体的减小0.09%左右,其内部存在残余压应力,但AlN六方相的对称性没有发生改变.
关键词:
AlN陶瓷
,
高压烧结
,
La2O3
,
晶格常数
贾洪声
,
鄂元龙
,
李海波
,
贾晓鹏
,
马红安
,
郑友进
,
李季
,
刘鑫鑫
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.008
在高温高压条件下(5.6GPa,1400℃),以Fe55 Ni26 Co19合金(KOV)为烧结助剂,采用高压熔渗技术制备了生长型金刚石复合片(PDC)。采用 SEM、XRD、EDS等观察了PDC 的组织形貌、物相成分；Ra-man光谱计算了金刚石的残余应力；测试了金刚石烧结体的耐磨性及耐热性。实验结果表明,KOV均匀渗透金刚石层,与金刚石颗粒形成了致密交错的网状结构,PDC结合界面复合牢固；PDC 物相包括金刚石、WC、CoCx、α-Co、FeNi等；PDC烧结体的磨耗比为2.8×104,热失重温度为800℃,且具有较小的残余压应力,数值为0.08GPa。
关键词:
金刚石复合片
,
高温高压
,
KOV合金
,
熔渗
李小雷
,
马红安
,
郑友进
,
刘万强
,
左桂鸿
,
李吉刚
,
李尚升
,
贾晓鹏
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.04.011
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响.结果表明:高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,在5.0 GPa/1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷内部存在2.0GPa的残余压应力,其原因是在高压烧结AlN陶瓷出现了晶格畸变.
关键词:
无机非金属材料
,
AlN陶瓷
,
高压烧结
,
微观结构
,
残余应力
贾相华
,
尹龙承
,
姜宏伟
,
朱瑞华
,
王丹
,
郑友进
人工晶体学报
利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备不同退火温度的Li∶ZnO薄膜.借助X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱研究样品结晶质量、成分、表面形貌和发光特性.结果表明:所有样品均高度c轴择优取向生长;随退火温度升高,样品结晶性变好,紫外发射增强.LiOH在退火温度超过700℃分解,使Li、H进入到ZnO晶格,在ZnO薄膜中形成LiZn-H复合缺陷,这种复合缺陷使H被困在ZnO薄膜中,形成H施主,显著提高ZnO薄膜紫外发光强度,抑制ZnO薄膜绿光发射.
关键词:
Li∶ZnO
,
光致发光
,
溶胶-凝胶
,
H施主
郑友进
,
马艳平
,
左桂鸿
,
贾晓鹏
,
秦杰明
,
马红安
人工晶体学报
利用FeNiMn55#粉末触媒在国产六面顶压机上进行工业金刚石单晶的合成,研究高温高压条件下(5.7 Gpa,1400～1600 ℃),C-FeNiMn55#粉末触媒体系中金刚石单晶的生长特性.结果表明,C-FeNiMn55#系能够合成出六-八面体及八面体金刚石,但六面体金刚石生长区间较窄,不易生长.通过光学显微镜观测表明,合成出的金刚石单晶呈黄色,晶形完整,晶体内部有气泡产生.M(o)ssbauer测试结果表明金刚石中包裹体的主要成分为Fe3C和FeNiMn55#合金.
关键词:
高温高压
,
FeNiMn55#粉末触媒
,
工业金刚石
吴春雷
,
郑友进
,
朱瑞华
,
王丹
,
付斯年
,
黄海亮
人工晶体学报
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P型Si(111)基片上沉积了氮掺杂纳米金刚石膜.采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔测试系统等分析了不同Ar浓度对氮掺杂金刚石膜生长特性的影响.结果表明:随着Ar浓度的增加,膜的晶粒尺寸逐渐减小,表面变得光滑平整；由拉曼G峰漂移引起的压应力先减小后增大；膜的导电性能变好.且由于C3H6N6的引入,使得在较低的Ar浓度下(H2/Ar流量比为100/100时),即可制得晶粒尺寸在30 ～ 50 nm的高质量的金刚石膜样品,远低于H2/Ar体系的Ar浓度为90％的阈值.
关键词:
直流热阴极PCVD
,
氮掺杂
,
Ar浓度
,
纳米金刚石膜
,
电阻率
贾洪声
,
鄂元龙
,
李海波
,
贾晓鹏
,
马红安
,
郑友进
材料导报
在高温高压(5.0 GPa、1500℃)的条件下,以Ni70 Mn25 Co5合金为烧结助剂,采用粉末混合法制备了金刚石复合片(PDC),并采用SEM及Micro-Raman spectroscopy对金刚石烧结体进行了形貌及物相测试.结果表明,由于烧结腔体存在压力、温度梯度,金刚石在经历高温高压烧结后,具有多种烧结形态及物相结构,表现为晶形完整的金刚石微晶、纳米石墨相和无定形碳.
关键词:
金刚石
,
烧结
,
Raman
,
形貌
,
结构
