黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
邓志杰
,
罗志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.001
采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为 (2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于 3×1019cm-3 以后, GaSb 发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.
关键词:
GaSb
,
有效分凝系数
,
位错密度
,
简并
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
罗志强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.004
采用 LEC 工艺,通过特殊的过滤措施,可以批量拉制重掺碲的 GaSb 单晶材料.计算结果表明,在该生长系统及工艺条件下,碲在 GaSb 中的有效分凝系数约为0.38.GaSb 单晶 EPD 测试表明:EPD 沿径向分布呈"W"型,数量约为1×103cm-2;沿晶体生长方向(100)变化不大.
关键词:
GaSb
,
有效分凝系数
,
EPD
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.02.018
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.
关键词:
锑化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光
,
损伤层
郑安生
,
邓志杰
,
俞斌才
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.031
在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景.量子结构光电器件由于具有一系列独特性能,将越来越受到重视.
关键词:
化合物半导体材料
,
光电器件
,
发光二极管
,
激光二极管
,
太阳电池
,
光探测器
,
量子结构
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.001
用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.
关键词:
GaAs
,
光学加工
,
断裂模数
,
损伤层
