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SnS片状纳米晶的制备及其表征

崔蕾 , 简基康 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 蒋莉 , 张保花

人工晶体学报

用水热法制备了SnS片状纳米晶.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线能谱(EDS)等方法对所制备的样品SnS粉晶的结构形貌及组分进行了表征.研究了影响合成SnS片状纳米晶的几个因素,讨论了片状纳米晶生长过程与(040)晶面择优取向的关系,并分析了SnS片状纳米晶的合成机理.

关键词: SnS , 水热法 , 纳米晶

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

侯识华 , 宋世庚 , 郑应智 , 马远新 , 郑毓峰

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.027

介绍了Sol-Gel法,并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结,详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程.

关键词: Sol-Gel法 , PLZT , 铁电薄膜

纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

杨世才 , 阿布都艾则孜·阿布来提 , 简基康 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 吴荣

人工晶体学报

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20~370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2~13.2 nm.

关键词: 氮化铝 , 磁控反应溅射 , 择优取向

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

侯识华 , 宋世庚 , 马远新 , 郑毓峰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.008

采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.

关键词: Sol-Gel法 , PLZT , 铁电薄膜 , 铅过量 , 电 学性质

CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究

李锦 , 郑毓峰 , 徐金宝 , 孙严飞 , 陈树义

功能材料

采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试.结果显示,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比,晶粒大,晶形好.适当的掺杂某些元素,适当的掺杂量,可以改善CdTe薄膜的结晶性能,提高其导电性能.掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大.

关键词: CdTe薄膜 , 制备 , 掺杂

粉末FeS2的合成及结构精修

徐金宝 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 李锦 , 吴荣

功能材料

实验采用Fe2O3粉末与纯铁粉末分别在100kPa硫压、恒温50h的条件下合成了FeS2粉体,并利用Rietveld方法对X射线衍射数据进行精修. 结果表明在同样的条件下Fe2O3比铁粉更易与S结合生成FeS2,而且样品晶粒度明显增大,晶粒生长较好.

关键词: FeS2 , Rietveld方法 , 光吸收

晶种法水热合成FeS2纳米晶

吴荣 , 郑毓峰 , 张校刚 , 孙言飞 , 徐金宝

无机材料学报

在水热体系中,加入了FeS2作为晶种,以EDTA、酒石酸为螯合剂优化反应条件,合成了FeS2纳米晶。用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜进行了表征。结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS2,纳米晶呈椭球状分布,平均粒径约20nm,其在紫外-可见光谱区内215-314nm是强吸收区,光学直接禁带宽度相对发生蓝移。并且对FeS2的形成机理进行了讨论。

关键词: FeS2纳米晶 , hydrothermal , crystalline-induced , direct band gap

近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究

李锦 , 郑毓峰 , 戴康 , 徐金宝 , 陈树义

无机材料学报

采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.

关键词: 近距离升华(CSS)技术 , CdTe thin films

电沉积FeS2(Pyrite)薄膜的制备与性能研究

董有忠 , 郑毓峰 , 张校刚 , 段鹤 , 孙言飞 , 陈艳华

功能材料

采用含铁和硫元素的水溶液电沉积制备了FeS2薄膜,并在硫氛围中退火获得样品.研究了样品的微结构和光吸收以及电学性质.结果表明薄膜样品晶相单一,晶粒尺寸约为100nm,光吸收系数随沉积时间增加略有增大,电阻率随薄膜沉积时间的增加而减小.为防止薄膜脱落,在沉积过程中使用了阳离子表面活性剂,得到了均匀且粘附性较强的膜.

关键词: 电沉积 , FeS2(黄铁矿) , X射线衍射

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