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报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分 GaxIn1－ xAsySb1－ y材料室温光学常数（ n和α） , 并且实验观察到明显的折射率增强效应 , 发现组分在 x=0.2～ 0.3 之间折射率峰值随组分 x近似于线性变化。

InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.012

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.

关键词: InGaAsSb , 分子束外延 , 多量子阱 , 光致发光

室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器

张雄 , 李爱珍 , 张永刚 , 郑燕兰 , 徐刚毅 , 齐鸣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.

关键词: 半导体激光器 , 分子束外延

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

郑燕兰 , 李爱珍 , 林春 , 李存才 , 胡建

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.

关键词: AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱 , PL强度 , 激光器

用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究

简贵胄 , 郑燕兰 , 林春 , 李爱珍 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.018

提出了一种适用于GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸系腐蚀液。该腐蚀液对于GaSb和AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率，有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐蚀液对AlGaAsSb的腐蚀速率与其Al组份呈抛物线关系，在合适的Al组份下可对AlGaAsSb和GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。

关键词: GaSb/AlGaAsSb化合物半导体 , 化学刻蚀 , 光电器件