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氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

鲁枫 , 郑瑞生 , 刘文 , 敬守勇 , 武红磊 , 孙秀明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.040

实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨.

关键词: 氮化铝 , 晶须 , 物理气相法

升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

武红磊 , 郑瑞生 , 李萌萌 , 闫征

人工晶体学报

AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3%和49.7%,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.

关键词: 升华 , 非极化 , AlN晶体 , m面

升华法生长氮化铝晶体的热场分析

武红磊 , 郑瑞生 , 李萌萌 , 闫征 , 郑伟 , 徐百胜

人工晶体学报

本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响.结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低.通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场.

关键词: 升华 , 温度场 , 氮化铝晶体 , 有限元

基于MREI模型混晶光学声子频率计算理论的改进

罗飞 , 郑瑞生 , 卢敏 , 刘维清

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.05.017

在随机元素等位移(MREI)模型的基础上,进一步改进了模型.在计算多元混晶声子频率时,对不同模式采用了不同的次近邻常数,并且推算了近邻常数与组分x呈负幂指数变化的规律,从而不使用任何调节参数计算了几种AB1-xCx混晶的声子频率对组分x的依赖关系.理论结果和实验数据两者符合较好,对今后的实验给出了一定程度的指导.

关键词: 光电子学 , MREI模型 , 混晶 , 光学声子 , 组分

用于晶体生长的氮化铝保温材料的研究

武红磊 , 郑瑞生 , 孟姝

人工晶体学报

在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料.实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料.与目前常用的石墨保温材料相比较,氮化铝存在热导率相对较高、在高温过程中会少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策,以消除其不利影响.

关键词: 氮化铝 , 石墨 , 晶体 , 保温

碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析

闫征 , 武红磊 , 郑瑞生

硅酸盐通报

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理.在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低;当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度.分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体.

关键词: AlN , 第一性原理 , 共掺杂 , 电子结构

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