冯团辉
,
卢景霄
,
张宇翔
,
郜小勇
,
杨仕娥
,
李瑞
,
靳锐敏
,
王海燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明...
关键词:
快速热退火
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
晶粒尺寸
,
暗电导率
张宇翔
,
王海燕
,
陈永生
,
杨仕娥
,
郜小勇
,
卢景霄
,
冯团辉
,
李瑞
,
郭敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,...
关键词:
多晶硅薄膜
,
快速光热退火
,
固相晶化
张晋敏
,
郜小勇
,
李晶
,
周鹏
,
郑玉祥
,
王松有
,
张冬青
,
陈良尧
功能材料
采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室...
关键词:
放电等离子烧结(SPS)
,
磁光薄膜
,
椭偏光谱
,
磁光Kerr效应
陈永生
,
杨仕娥
,
卢景霄
,
郜小勇
,
张宇翔
,
王海燕
,
李瑞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放...
关键词:
微晶硅薄膜
,
晶化率
,
等离子体增强化学气相沉积
郜小勇
,
林清耿
,
冯红亮
,
陈永生
,
杨仕娥
,
谷锦华
,
卢景霄
功能材料
采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键...
关键词:
氯化铵
,
掺铝氧化锌薄膜
,
表面织构
郭战营
,
许安涛
,
张庆丰
,
郜小勇
人工晶体学报
本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响.研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势.对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改...
关键词:
ITO薄膜
,
电子束蒸发
,
性能
,
禁带宽度
张丽伟
,
赵新蕖
,
卢景霄
,
郜小勇
,
陈永生
,
靳瑞敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.052
在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一...
关键词:
SEM
,
RTP
,
柱晶
,
多晶硅薄膜
