郝国强
,
张永刚
,
顾溢
,
刘天东
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.014
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性.结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性.还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用.
关键词:
光电探测器
,
暗电流
,
探测率
,
温度特性
