王健
,
熊兵
,
孙长征
,
郝智彪
,
罗毅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.014
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
关键词:
干法刻蚀
,
掩膜
,
ICP
,
InP
,
刻蚀端面
何为
,
郝智彪
,
任在元
,
罗毅
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.036
利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较,优化生长参数,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构,阱、垒、中间层的厚度分别为7.1,6.0,1.9 nm的7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为18.2 meV,是当前文献报道的1.55 μm 波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一.
关键词:
固源分子束外延
,
应变补偿多量子阱
,
X射线衍射
,
光致荧光
