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纳米钨粉体的表征及其晶格畸变分析

宋志华 , 郭亨群 , 张春华 , 王国立 , 吴冲浒 , 吴其山 , 吴志军

材料导报

以工业化生产技术成功地制备了不同粒径的纳米W粉体,采用EDS、SEM和XRD对样品的含量、形貌、物相进行了表征,并计算了其晶格参数和晶胞体积.结果表明,纳米W粉体为bcc晶态结构,晶格发生收缩;随着晶粒尺寸的减小,晶格参数和晶胞体积收缩率增大,且晶格畸变率与粒径的倒数呈正比线性关系.

关键词: 纳米钨粉 , 晶粒尺寸 , 晶格参数 , 晶格畸变

纳米碳化钨粉的制备和晶粒粗化动力学研究

张春华 , 郭亨群 , 王国立 , 宋志华 , 吴冲浒 , 吴其山

材料导报

用工业化生产设备制备纳米碳化钨粉,采用XRD、BET、SEM、FESEM、TEM对样品的物相、粒度及其分布进行了表征,研究了不同退火温度和不同退火保温时间对晶粒大小的影响.实验结果表明,纳米碳化钨粉粒度为90nm左右时大多数近似球形.对纳米WC晶粒长大机理进行了研究,发现温度是影响纳米WC晶粒长大的一个重要因素,随着退火温度的升高,纳米WC晶粒尺寸增大,而且纳米WC晶粒粗化符合经典的LSW理论.

关键词: 纳米碳化钨 , 粒度表征 , 晶粒

nc- Si/a- SiOx:H复合薄膜的结构及光吸收特性

郭震宁 , 郭亨群 , 王加贤 , 张文珍 , 李世忱

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.015

采用 PECVD技术制备的 a- SiOx:H (0 SiOx:H基质的量子点复合膜( nc- Si/a- SiOx:H)。利用 TEM技术, Raman散射谱和光吸收谱等 , 较系统地研究了该复合膜的膜结构和光吸收特性。实验结果表明:纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构, 颗粒大小随退火温度升高而增大。复合膜光吸收边随纳米硅颗粒尺寸的减小发生了蓝移,表现出 明显的量子限域效应。

关键词: nc-Si/a-SiOx:H复合膜 , PECVD技术 , 热退火 , 光吸收

低温快速碳化制备纳米WC粉体及表征

宋志华 , 郭亨群 , 吴冲浒 , 吴其山

机械工程材料

采用工业化生产技术,以纳米钨粉和炭黑为原料,在1050℃低温条件下快速碳化15 min制备了纳米WC粉体,通过XRD、EDS、SEM和FESEM等方法分析了纳米WC粉体的物相、成分、形貌和粒径.结果表明:制备的纳米WC粉体的纯度较高,仅含有少量的W2C和游离碳等杂质;粉体颗粒均匀,呈球形、板状及多角形,平均粒径为68.9 nm.

关键词: 纳米碳化钨 , 粉体 , 粒径 , 低温快速碳化

以紫钨为原料制备纳米钨粉体的研究

宋志华 , 郭亨群 , 吴冲浒 , 吴其山

稀有金属材料与工程

以紫钨为原料,利用工业化生产技术制备纳米钨粉体.通过XRD、EDS、SEM、FESEM、DTA-TG和比表面及孔径分布分析仪对样品的物相、成分、形貌、热稳定性和比表面及孔结构进行表征.结果表明:通过降低还原温度、减缓推舟速度、减小装舟量和增大通氢流量等还原工艺条件可制备优质纳米W粉体.

关键词: 紫钨 , 还原工艺 , 纳米钨粉体 , 粒度

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究

吕蓬 , 郭亨群 , 申继伟 , 王启明

功能材料

采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征.采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应.

关键词: nc-Si/SiNx薄膜 , 射频磁控反应溅射 , 光学非线性 , 量子限域效应 , Z扫描

纳米碳化钨粉体的热稳定性研究

张春华 , 郭亨群 , 王国立 , 宋志华 , 吴冲浒 , 吴其山

功能材料

以工业化生产设备条件制备纳米碳化钨粉末,对样品在不同温度下退火,采用X射线衍射法(XRD)、比表面积法(BET)、冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光光散射法对退火前后样品的物相、粒度及其分布进行表征.研究结果表明,温度是影响纳米WC颗粒长大的一个重要因素,随着退火温度升高,纳米WC颗粒尺寸随之增大.同时在不同升温速率下测的DSC吸收峰值,计算了纳米WC颗粒的长大激活能.在此基础上,对实验现象产生的原因进行了分析讨论.

关键词: 纳米碳化钨 , 粒度表征 , 表面能各向异性

a-Si/a-SiNx超晶格材料光学特性

张春华 , 郭亨群 , 王国立 , 申继伟 , 徐骏 , 陈坤基

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.002

采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.

关键词: a-Si/a-SiNx超晶格 , 光致发光 , 量子限制效应 , 射频磁控反应溅射

射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性

郭亨群 , 杨琳琳 , 王启明

功能材料

采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响.

关键词: Al-Si-SiO2薄膜 , 磁控溅射 , 光致发光

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