郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
邱永华
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.026
硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
关键词:
硫化锡
,
太阳电池
,
掺杂
,
真空蒸发
,
电阻率
郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
夏义本
人工晶体学报
采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.
关键词:
太阳能电池
,
硫化亚锡薄膜
,
真空蒸发
,
衬底温度
