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检索条件:作者=郭宝平  

  • 论文(6)

Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究

赵丽伟 , 刘彩池 , 滕晓云 , 朱军山 , 郝秋艳 , 孙世龙 , 王海云 , 徐岳生 , 胡家辉 , 冯玉春 , 郭宝平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019

本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相...

关键词: GaN , 湿法腐蚀 , 六角腐蚀坑 , SEM

过渡层结构和生长工艺条件对Si基GaN的影响

冯玉春 , 胡加辉 , 张建宝 , 王文欣 , 朱军山 , 杨建文 , 郭宝平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.030

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-AlN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN.过渡层为多层复合结构,分为高温变组分AlGaN、GaN、低温AlN、高温变组分AlGaN.在高温生长AlGaN和GaN层中插入一层低温生长AlN以缓解降温过程中应力对...

关键词: Si(111) , GaN , AlN , AlGaN

微弧熔区的淬冷过程及其对氧化铝膜微观结构的影响

李华平 , 柴广跃 , 彭文达 , 阳英 , 高敏 , 郭宝平 , 牛憨笨

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00114

通过实验和模拟拟合, 对微弧氧化过程中Al2O3膜表面的对流散热系数作了估计, 实验过程中发现Al2O3/Al界面在微观上也是一个冷却界面, Al 基体在冷却过程中起“热量中转”的作用, 熔池在淬冷过程中的大部分...

关键词: 铝合金 , microarc oxidation , quenching , microstructure , FEM

微弧熔区的淬冷过程及其对氧化铝膜微观结构的影响

李华平 , 柴广跃 , 彭文达 , 阳英 , 高敏 , 郭宝平 , 牛憨笨

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.022

通过实验和模拟拟合,对微弧氧化过程中Al2O3膜表面的对流散热系数作了估计,实验过程中发现Al2O3/Al界面在微观上也是一个冷却界面,Al基体在冷却过程中起"热量中转"的作用,熔池在淬冷过程中的大部分热量经过了邻近区域的Al2O3膜或者铝基体.通过热模拟得到的纵深各点温度-时间曲线来表征微熔区的淬...

关键词: 铝合金 , 微弧氧化 , 淬冷过程 , 微观结构 , 有限元

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

朱军山 , 胡加辉 , 徐岳生 , 刘彩池 , 冯玉春 , 郭宝平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.024

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1...

关键词: Si(111) , GaN , 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) , 双晶X射线衍射(DCXRD)

低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

冯玉春 , 刘晓峰 , 王文欣 , 彭冬生 , 郭宝平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.023

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较...

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