周伟峰
,
薛建设
,
明星
,
刘翔
,
郭建
,
谢振宇
,
赵承潭
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0019
将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
低介电常数
,
丙烯酸酯树脂
,
钝化层
周伟峰
,
薛建设
,
金基用
,
刘翔
,
明星
,
郭建
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0165
通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善.狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著.考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
沟道设计
,
四次掩膜曝光
姜晓辉
,
张家祥
,
王亮
,
郭建
,
沈奇雨
,
曲连杰
,
张文余
,
田宗民
,
阎长江
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0194
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(e≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率.文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等.通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中.
关键词:
树脂材料
,
ITO刻蚀
,
ITO刻蚀液
,
涂胶工艺
田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
张家祥
,
卢凯
,
郭建
,
姜晓辉
,
崔玉琳
,
王亮
,
阎长江
,
曲连杰
,
陈旭
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0055
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本.采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率.无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44％;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同.
关键词:
无退火工艺
,
透过率
,
氧化铟锡层
,
TFT特性
刘秀波
,
虞钢
,
郭建
,
张振国
,
商全义
,
谷亦杰
,
崔洪芝
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.06.027
为探索提高工程机械易损零部件服役寿命的新技术,采用等离子熔覆工艺,以Ni-Cr-C混合合金粉末为添加材料,在易损零部件用钢Q235表面形成了以初生块状金属陶瓷Cr7C3为硬质耐磨相,以强韧性良好的γ/Cr7C3共晶为基体的复合材料冶金涂层,分析了涂层的显微组织和硬度,在室温干滑动磨损条件下测试了其耐磨性.研究结果表明:涂层组织致密,硬度较高,与基体之间为完全的冶金结合,在干滑动磨损条件下具有良好的耐磨性.
关键词:
等离子熔覆
,
涂层
,
组织
,
耐磨性
黎午升
,
惠官宝
,
崔承镇
,
史大为
,
郭建
,
孙双
,
薛建设
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0544
实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布.根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角.实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性.使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力.
关键词:
相移掩膜
,
等间隔线
,
模拟
,
曝光容限
,
解像力
见帅敏
,
解洋
,
夏高飞
,
孙禄标
,
孟维欣
,
申澈
,
郭建
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0455
目前,薄膜晶体管型液晶显示器(Thin-Film Technology Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已成为显示领域的主流产品,而液晶面板是TFT-LCD的一个重要组成部分.LCD边缘漏光会导致画面失真,影响可视效果,造成画面显示品质下降、良率降低,因此改善边缘漏光成为急待解决的问题.本文研究了液晶与PI膜层取向异常对边角漏光的影响、LC Pattern设计对边角漏光的影响、Si-Ball型号对边角漏光的影响等,结果证明LC Pattern设计对边角漏光具有较好的改善效果,Pattern拉伸可改善边角漏光但更易造成液晶穿刺现象,小滴优化不仅能改善边角漏光而且也能防止液晶穿刺.另外小型Si-Ball对边角漏光改善效果最优,同时从信赖性验证等方面可以排除较小Si-Ball,限定出Si-Ball选择范围.
关键词:
TFT-LCD
,
边角漏光
,
LCPattern
,
Si-Ball
周文英
,
齐暑华
,
吴有明
,
王彩凤
,
袁江龙
,
郭建
高分子材料科学与工程
用粉末混合法制备了氮化硼增强高密聚乙烯塑料,研究了材料内部填料分散状态,填料含量,基体粒径和温度对热导率的影响.结果表明,材料中填料粒子围绕在聚乙烯粒子周围,形成了特殊的网状导热通路;增大填料用量和基体粒径,热导率升高;填料体积用量为30%时体系热导率达0.96 W/m·K,是基体热导率的3倍多.用Y. Agari模型分析了基体粒径对形成导热通路的影响.此外,使用氧化铝短纤维和氮化硼混杂填料能获得更高的热导率.
关键词:
高密聚乙烯
,
氮化硼
,
热导率
,
粒径大小
,
粉末混合
