何志巍
,
甄聪棉
,
缑洁
,
兰伟
,
郭得峰
,
王印月
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.003
报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.
关键词:
SiO2
,
低介电常数
,
分子模板
