郭艳艳
,
王殿元
,
王芳
,
赵鑫
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20150305
采用低温燃烧法制备出Li+,Er3+共掺杂Gd203纳米粉体,将粉体压片成型后在1500 ℃真空条件下烧结10 h成功制备出Li+,Er3+共掺杂Gd2 O3半透明陶瓷.对粉体和半透明陶瓷样品的晶体结构、形貌、显微结构和上转换发光特性等用XRD,TEM,SEM,FL等手段进行了表征和研究.结果表明:Li+和Er3+均匀地溶解于Gd2O3晶格之中.粉体颗粒近似球形,粒径约20～ 30 nm.烧结后半透明陶瓷致密度高,未见气孔存在,透光率高;在980 nm LD激发下有两个峰值波长分别为561 nm(绿光)和658 nm(红光)上转换发光带,分别对应4S3/2/2H11/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁;Li+的掺杂抑制了Gd2 O3由立方到单斜的相变,且使陶瓷样品中Er3+的上转换发光强度显著增强,红绿光之比大大提高.
关键词:
半透明陶瓷
,
Gd2O3
,
燃烧法
,
上转换发光
王庆凯
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王殿元
,
郭艳艳
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吴杏华
,
常章用
,
罗江龙
稀有金属材料与工程
以甘氨酸作燃烧剂采用燃烧法制备Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶粉末.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计对Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶的相结构、形貌和发光性质进行研究.结果表明:所得到的纳米晶粒度均匀、结晶完好,属于立方萤石结构.发光光谱的测试表明:Tb~(3+)呈现其特征绿色发射,最强峰位于542 nm处.Tb~(3+)的掺杂摩尔浓度在0.5%～6%的范围内,3%为最佳掺杂浓度.
关键词:
Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶
,
燃烧合成
,
光致发光
郭艳艳
,
王庆凯
,
王殿元
,
常章用
,
孙光厚
,
罗江龙
中国稀土学报
测量了Tm:K2YF5晶体的吸收光谱,根据Judd-Ofelt理论计算了Tm3+在K2YF5中的强度参数:Ω2=5.02×10-20cm2,Ω4=3.40×10-20cm2,Ω6=0.38×10-20cm2,以及Tm3+激发能级的自发辐射跃迁几率A,荧光分支比β,荧光寿命τ和积分发射截面∑等光谱参量.
关键词:
Tm:K2YF5
,
光谱特性
,
稀土
王殿元
,
王庆凯
,
常章用
,
郭艳艳
,
吴杏华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00239
采用低温燃烧法制备了Y2Zr2O7∶Eu3+纳米微粒，用XRD和HRTEM对纳米微粒的结构、形貌进行了分析和表征.作为对比，采用高温固相法制备了Y2Zr2O7∶Eu3+体相材料，对其变温发光特性进行了测试和对比研究.结果表明，Y2Zr2O7∶Eu3+纳米晶的606和628nm发射（5D0→7F2）最强，与5D0→7F1磁偶跃迁相对发光强度较体相材料增强60%，且随着温度的降低，Eu3+离子5D0→7FJ(J=1,2,3,4)跃迁发光强度均有变化.另外，采用盐酸“浸蚀”技术对Y2Zr2O7∶Eu3+纳米微粒进行了表面处理，室温发射光谱测试表明：5D0→7F2,3,4电偶跃迁与5D0→7F1磁偶跃迁的相对强度较表面处理前减小约15%.对观测到的结果通过纳米微粒的表面效应和激活离子所处局域环境的变化进行了定性解释和讨论.
关键词:
Y2Zr2O7∶Eu3+纳米晶
,
combustion synthesis
,
temperature dependent photoluminescence
,
surface treatment
王殿元
,
王庆凯
,
常章用
,
郭艳艳
,
吴杏华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00239
采用低温燃烧法制备了Y2Zr2O7:Eu3+纳米微粒,用XRD和HRTEM对纳米微粒的结构、形貌进行了分析和表征.作为对比,采用高温固相法制备了Y2Zr2O7:Eu3+体相材料,对其变温发光特性进行了测试和对比研究.结果表明,Y2Zr2O7:Eu3+纳米晶的606和628nm发射(5D0→7F2)最强,与5D0→7F1磁偶跃迁相对发光强度较体相材料增强60%,且随着温度的降低,Eu3+离子5D0→7FJ(J=1,2,3,4)跃迁发光强度均有变化.另外,采用盐酸"浸蚀"技术对Y2Zr2O7:Eu3+纳米微粒进行了表面处理,室温发射光谱测试表明:5D0→7F2,3,4电偶跃迁与5D0→7F1磁偶跃迁的相对强度较表面处理前减小约15%.对观测到的结果通过纳米微粒的表面效应和激活离子所处局域环境的变化进行了定性解释和讨论.
关键词:
Y2Zr2O7
,
Eu3+纳米晶
,
燃烧合成
,
变温发光特性
,
表面处理
张宝龙
,
李丹
,
郭艳艳
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0634
为了实现车载摄像头的超广角成像,解决倒车影像系统不能全面照顾周围视角的问题,设计了一款超广角车载摄像头.对该摄像头所采用的图像传感器、超广角成像技术、硬件电路设计及接口EMC防护的应用进行研究.根据当前车厂对摄像头的要求选择了基于美国Omnivision公司的CMOS图像传感器OV7962作为成像芯片.采用一种新的凝视型视场全景成像技术——鱼眼透镜成像,并通过匹配成像芯片的参数计算出镜头的焦距和分辨率.对摄像头硬件电路的设计及接口电磁兼容性(EMC)防护进行测试和改进.实验结果表明:摄像头可实现210°超广角成像,接口EMC防护已通过ISO-7637-2脉冲5b标准测试.满足了对倒车影像系统全面顾及周围视角的要求,另外该车载全景摄像头还具有成本低、性能稳定、分辨率高、夜视效果好等优势.
关键词:
鱼眼透镜成像
,
超广角
,
CMOS图像传感器
,
电磁兼容性
