郭超峰
,
陈俊芳
,
符斯列
,
薛永奇
,
王燕
,
邵士运
,
赵益冉
材料导报
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜.对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N_2-(CH_3)_3Ga等离子体的发射光谱.结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N_2-(CH_3)_3Ga等...
关键词:
等离子体
,
化学气相沉积
,
GaN
,
反应
,
生长机制
李炜
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陈俊芳
,
王腾
,
张洪宾
,
郭超峰
材料导报
为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更...
关键词:
Si
,
GaN
,
吸附
,
第一性原理
