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Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

郑萍 , 周玉琴 , 景秀年 , 李山林 , 王文虎 , 陈兆甲 , 金华 , 金铎 ,

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.009

我们对同一Bi2212晶须样品加不同方向的磁场,比较了H∥b和H∥c两种情况下的I-V曲线.我们发现,当H∥c时,驱动磁通线运动的临界电流Ic与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系.但是,当H∥b时, Ic在T*=25.5K附近出现了一个峰值: 当T>T*时,Ic随温度的下降而升高; T

关键词:

α-Si3N4单晶纳米带的光致发光及激发光谱研究

范翊 , 金华 , 罗劲松 , 杨为有 , 张立功 , 谢志鹏 , 安立楠

稀有金属材料与工程

采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.

关键词: a-Si3N4 , 单晶 , 吸收 , 光致发光

掺Ce的Bi-2212超导体的热导

李波 , 吴柏枚 , 杨东升 , 郑卫华 , 金华 , 高惠平

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.055

报道了掺Ce的Bi-2212系列样品Bi2Sr2Ca1-xCexCu2Oy,x=0.1,0.2,0.3,在50到200K温区的热导率.观察到随着Ce掺杂的增加Tc以下的热导峰位基本上不变,但峰高被明显压低.我们用正常态电子散射模型对热导峰进行了拟合,结果显示Ce掺杂对Tc附近超导涨落的压制作用.

关键词:

掺Ce的Bi-2212的低温电输运性质

李波 , 杨东升 , 郑卫华 , 吴柏枚 , 金华

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.007

在小型制冷机上,测量了掺Ce的Bi-2212(Bi2Sr2Ca1-xCexCu2O8+y,x=0.1,0.2,0.3,0.4)样品10K到300K温度范围内的电阻率.随着Ce掺杂浓度x的增加,样品的电输运性质表现出由金属到绝缘体的转变.注意到Ce掺杂的变价性,我们对这类混价体系中两相共存的可能性进行了分析和讨论.

关键词:

激光区熔Bi系超导复合带组织特征

葛云龙 , 刘清民 , 金华 , 刘传胜 , 胡壮麒

材料研究学报

在Ag 基带上非平衡凝固熔敷超导厚膜,用激光区熔法制备组织致密、有明显织构取向、与基材结合牢固的柔性Bi 系超导复合带材。研究了该超导材料的定向结晶特征、凝固表面和内层组织形态、相分布与组成及超导层同基材的结合。此法开辟了制备高J_c 实用超导带材的新途径。

关键词: 激光区熔 , thick film , textured composite tape

用电流加热熔化涂层法制备出结构致密、涂层均匀的Bi 系/Ag 基超导复合带。条带可连续制备,且有较强的抗弯曲性能,在3mm 弯曲半径下不出现裂纹。热外理后样品的扫描电镜(SEM)形貌分析、EDAX 成分分析及表面X 射线衍射结果表明,复合带界面结合紧密,超导层结构致密,成分均匀,而且组织有明显的织构特性。经860℃,50h 处理的样品,在零磁场、77K 下,临界电流密度为2.2×10~2A/cm~2。

关键词: Bi系超导材料 , Ag based superconducting composite tape , melt painting

Bi(Pb)SrCaCu氧化物超导晶须的生长及结构

金华 , 葛云龙 , 刘清民 , 胡壮麒 , 师昌绪

材料研究学报

本工作将Bi_2Pb_(0.5)Sr_2Cu_5O_x 的非晶态基材在流通氧气气氛中长期保温,获得了足以达到测量其多种物理性能的尺寸的晶须。用X 射线衍射及电子衍射研究了晶须的结构,电探针和配有能谱的扫描电镜研究了晶须的成分及形貌。本文还讨论了不掺Pb 元素及部分晶化的基材对晶须生长的影响。

关键词: Bi_2(Pb)_(0.5)Sr_2Ca_4Cu_5O_x , whiskers , super-conductivity , amorphous substrate

高温氧化对超高温陶瓷材料耦合传热的影响

周印佳 , 孟松鹤 , 解维华 , 金华 , 杜善义

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151126.002

超高温陶瓷材料暴露于极端高温飞行环境中会导致其发生氧化,表面生成的氧化物具有不同的热物性从而对传热过程造成影响。针对预氧化的 ZrB2和 ZrB2-SiC,基于氧化模型预测氧化层(ZrO2、B2 O3、SiO2和 SiC耗尽层)厚度,利用有限元建立圆柱形代表性体积单元,并与外部高超声速流场的 CFD (Computational Fluid Dy-namics)求解器相耦合,研究了高温氧化对超高温陶瓷材料的耦合传热的影响。计算中采用分区求解方法,通过耦合界面处非匹配网格间的插值完成实时数据交换,实现了基于 Navier-Stokes 方程的流动求解器与有限元求解器的多场耦合计算。ZrB2、ZrB2-SiC 以及氧化生成物的热物性均为温度相关,通过理论计算给出了 B2 O3挥发及SiC耗尽导致的多孔结构的有效热导率和有效比热容。瞬态耦合传热分析的结果表明：ZrB2在预氧化后其热阻能力略有提高,ZrB2-SiC氧化前后的热阻变化很小,并且在相同流动环境条件下,氧化后ZrB2的热阻能力高于氧化后ZrB2-SiC的热阻能力。

关键词: 超高温陶瓷 , 氧化 , 耦合传热 , 数值模拟 , CFD , 有限元法