李俊杰
,
金曾孙
,
吴汉华
,
林景波
,
金哲
,
李哲奎
,
顾广瑞
,
盖同祥
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.01.019
为了研究非晶CNx薄膜的热稳定性,采用射频磁控溅射方法沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900℃,利用FTIR,Raman和XPS谱探讨了高温退火对CNx薄膜化学成分及键合结构的影响.研究表明:CNx薄膜样品中N原子分别与sp、sp2和sp3杂化状态的C原子相结合,退火处理极大地影响了CN键合结构的稳定性;当退火温度低于600℃时,膜内N含量的损失较少,CNx薄膜的热稳定性较好,退火温度超过600℃时,将导致CNx膜中大多数C、N间的键合分离,造成N大量损失,膜的热稳定性下降;退火可促使膜内sp3型键向sp2型键转变,在膜中形成大量的sp2型C键,导致CNx膜的石墨化.
关键词:
CNx薄膜
,
退火
,
热稳定性
,
键合结构
,
磁控溅射
金哲
,
张万明
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.02.009
为了研究用于外科植入生物材料Ti-6Al-7Nb合金的热变形行为,利用Gleeble 2000热模拟实验机对Ti-6Al-7Nb合金在750～900℃温度范围和0.001～10.000s-1应变速率范围内进行等温热压缩实验,试验在氩气保护下进行,采用金相显微镜和透射电镜观察热变形后的组织；通过计算变形激活能分析Ti-6Al-7Nb合金在热压缩过程中的变形机制.结果表明:流变应力在经历加工硬化阶段后均表现出流变软化现象,在较低应变速率ε=0.001 ～0.100 s-1时,材料的软化主要受α相动态再结晶影响；而在较高应变速率ε=1～10s-1时,材料基本不发生再结晶,其软化是由于钛合金在变形过程中的绝热效应造成的.通过Arrhenius方程计算出合金在750,800,850和900℃下的变形激活能分别为209.25,196.01,194.01和130.40 kJ·mol-1；在750～850℃下的激活能接近于α-Ti的自扩散激活能(200 kJ·mol-1),表明在750～ 850℃的变形由α-Ti自扩散参与的动态再结晶控制；在900℃下激活能略低于β-Ti的自扩散激活能(160kJ·mol-1),说明在900℃下的变形机制由β相的动态回复控制.综合考虑变形行为与组织细化因素,温度在750 ～ 850℃,变形速率在0.01 ～0.10 s-1范围为良性热加工区域.
关键词:
生物钛合金
,
热压缩
,
真应力-真应变曲线
,
显微组织
,
激活能
,
变形机制
聂秋华
,
金哲
,
徐铁峰
,
戴世勋
,
沈祥
,
章向华
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.05.024
上转换光纤激光器由于在医疗、生命科学等领域应用逐步加强,近年来受到了广泛的重视.本文简要回顾了上转换发光的发展历程,归纳了能够实现蓝绿光输出的稀土离子的种类,详细阐述了近年来具有蓝绿光输出的上转换发光的不同基质玻璃(氟化物玻璃、硫化物玻璃、碲酸盐玻璃、锗酸盐玻璃、铋酸盐玻璃、卤氧化物玻璃)的研究进展,最后,对稀土离子掺杂的玻璃上转换发光的研究动向进行了展望.
关键词:
稀土离子
,
上转换
,
玻璃基质
,
研究进展
汤凯
,
金哲
,
杨清香
,
张翔
,
陈志军
,
吕景文
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.13.013
通过改进的室温一步法制备了 MWCNTs/MOF-5杂化材料,分别用 XRD、FT-IR、TEM、FESEM、比表面积和孔隙度分析仪对 MOF-5,MWC-NTs/MOF-5进行了表征和分析。结果表明,碳纳米管的引入对晶体结构的影响不大；复合方式为碳纳米管“穿插”MOF-5的结构；MOF-5和 MWCNTs/MOF-5在77 K和100 kPa下N2吸附量最大,分别为873,743 cm－3/g,比表面积(BET)分别为2435,1866 m2/g。
关键词:
室温制备
,
MWCNTs/MOF-5
,
杂化材料
,
N2 吸附
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
李全军
,
金哲
,
盖同祥
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.010
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99 %)和高纯Ar(99.99 %)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响.随着氮气分压的增加,阈值电场逐渐升高,这是由于表面粗糙度的变化造成的.充入10 % N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,开启电场为9 V/μm,当电场升高到24 V/μm,场发射电流为320 μA/cm2.所有样品的场发射FN曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.
关键词:
场发射
,
BN薄膜
,
氮气分压
顾广瑞
,
吴宝嘉
,
金逢锡
,
金哲
,
李哲奎
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.008
利用石英管型微波等离子体化学气相沉积装置,在Si基板上制备了具有纳米针状结构的碳膜.场发射特性测试表明,纳米针状结构碳膜具有良好的场发射特性,阈值电场为2.2 V/μm,外加电场为9 V/μm时,电流密度达到65 mA/cm2.利用统计效应修改了Fowler-Nordheim (F-N) 模型,成功地解释了在低电场区域的场发射机理.但是利用修改的F-N模型,不能解释高电场区域的电流密度的饱和现象,这将有待于进一步研究.
关键词:
场发射
,
碳膜
,
纳米针
,
微波等离子体化学气相沉积
