金奉柱
,
崔瑩石
,
劉聖烈
,
張炳鉉
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
,
Jung-yeal LEE
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
关键词:
TFT-LCD
,
开口率
,
刻蚀
,
CF4等离子体
劉聖烈
,
崔螢石
,
金奉柱
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.020
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
关键词:
液晶显示器
,
腐蚀
,
Al,Mo/Al/Mo
,
等离子体处理
