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低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

刘学建 , 金承钰 , 张俊计 , 黄智勇 , 黄莉萍

无机材料学报

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiN_x)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiN_x

关键词: LPCVD , silicon nitride thin films , growth rate , surface morphology

低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

刘学建 , 金承钰 , 张俊计 , 黄智勇 , 黄莉萍

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.020

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiN...

关键词: LPCVD , 氮化硅薄膜 , 沉积速率 , 表面形貌

Sol-Gel法制备Ba_xSr_1-xTiO₃铁电薄膜化学机制的探讨

金承钰 , 丁永平 , 孟中岩

无机材料学报

用ＦＴＩＲ分析，结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果，展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备Ｂａ_ｘＳｒ_１－ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化...

关键词: BST薄膜 , sol-gel method , FTIR , DSC , XRD , AFM

Sol-Gel法制备 BaxSr1-xTiO3铁电薄膜化学机制的探讨

金承钰 , 丁永平 , 孟中岩

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.015

用FTIR分析, 结合DSC、XRD、AFM实验结果，展示了sol-gel法制备 BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜热演化过程的化学机制. 研究表明：螯合剂HAcAc的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始温度，从而制得了晶化完善、致密无裂纹的BST薄膜.

关键词: BST薄膜 , sol-gel工艺 , FTIR , DSC , XRD , AFM