苏赞加
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刘飞
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李力
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莫富尧
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金顺玉
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陈军
,
邓少芝
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许宁生
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.019
报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法.该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线.所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30～125 nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构.场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3 V/μm,阈值电场为12.2 V/μm,最大电流密度达1 440μA/cm2.这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料.
关键词:
AlN超长纳米线
,
无催化剂
,
场发射
