钟仁志
,
张长瑞
,
周新贵
,
周安郴
,
陈远志
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.1999.04.003
采用聚碳硅烷(PCS)为先驱体,利用原位生长法制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷,其室温弯曲强度和断裂韧性达到了637 MPa和8.10 MPa.m1/2.研究了材料微观结构的形成及断裂机理,指出在微观结构的形成过程中,控制SiC纳米微晶的生成和β-Si3N4柱状晶的生长是关键,而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大(大于7.5)的Si3N4柱状晶,从而改变了断裂机理.
关键词:
先驱体
,
聚碳硅烷
,
原位生长法
,
SiC/Si3N4纳米复相陶瓷
