王乐
,
张亚军
,
祖帅
,
钟传杰
功能材料
介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P（VDF-TrFE）-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P（VDF-TrFE）-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。
关键词:
OTFT
,
复合绝缘膜
,
电子陷阱
,
漏电机理
景亚霓
,
钟传杰
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.003
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加.此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8 sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40土0.05)V降低到(0.10士0.01)V.基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化.
关键词:
等离子增强化学气相淀积
,
氮化硅
,
氢气添加
,
光学带隙
,
高频电容-电压特性
张亚军
,
王乐
,
祖帅
,
钟传杰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.005
通过分析以PMMA[poly( methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响.PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成.PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm.测量结果表明:(1)996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2.350K分子量的漏电流较大,为8.5×10 -9/cm2;(2)高电场下决定漏电流与场强关系的物理机制是肖特基发射,通过线性拟合计算出银电极与PMMA之间的势垒高度约为0.5eV;(3)分子量大的PMMA陷阱密度小.996K分子的最小,为4.7×1010/cm2.
关键词:
PMMA
,
绝缘膜
,
OTFTs
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
钱峰
,
刘泉水
,
韩先虎
,
钟传杰
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.020
基于溶液工艺和水热处理制备了ZnO薄膜.采用椭圆偏振光谱分析仪,原子力显微镜,X射线衍射仪研究和分析了水热处理温度对薄膜的微观形貌,光学特性,晶体结构的影响.实验结果表明,水热处理温度由110℃升高到130℃,薄膜光学带隙由3.19eV增大到3.31eV,而薄膜表面粗糙度从19.3nm降到12.9nm.然而,当处理温度超过140℃后,与130℃下处理的膜相比质量显著劣化.此外,130℃下水热处理的膜与500℃下高温退火的膜对比表明水热法有相似的光学特性,同时,XRD分析表明水热处理能改善晶体特性.证明了利用水热处理能够极大地降低溶液法制备ZnO薄膜所需的退火温度.
关键词:
ZnO薄膜
,
水热法
,
微观形貌
,
折射率
,
禁带宽度
丁磊
,
许剑
,
韩郑生
,
梅沁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.010
利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
KINK效应
,
Medici
,
Tsuprem4
景亚霓
,
胡文华
,
张平
,
魏志芬
,
唐正宁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.009
利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜.研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响.实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66 nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096 eV减小为0.046 eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度.
关键词:
PEDOT/PSS
,
喷墨印刷
,
导电聚合物薄膜
,
导电性能
刘欢
,
余屯
,
邱禹
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0210
采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips-pentacene为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)电极与有源层间的接触电阻,其中介电层和有源层均采用旋涂法制备,银电极采用喷墨印刷法制备.沟道长度分别取200,250,300 μm和400 μm,有源层退火时间分别为2h,6h和10h,提取到的3种不同退火时间的OTFT的接触电阻分别为8 MΩ,4.5 MΩ和3 MΩ,退火10 h的OTFT的接触电阻较小主要是因为较长时间的退火使得Tips-pentacene有源层中的杂质较少,电极和有源层之间的接触势垒较小.
关键词:
转移线性法
,
有机薄膜晶体管
,
接触电阻
,
喷墨打印
滕支刚
,
冷华星
,
张玲珑
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0219
通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压下斜率为2的区域消失.根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率.在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
退火时间
,
溶剂残留
汤猛
,
李勇男
,
殷波
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163112.1124
基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了 a-IGZO 薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H 2 O 2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO 前驱液中不含 H 2 O 2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光学带隙从3．03增加到3．29,而膜表面粗糙层由20．69 nm 降至4．68 nm。在同样的高压退火条件处理下,与前驱液中没加入 H 2 O 2的薄膜相比,折射率显著增加并明显的降低了薄膜表面粗糙度。退火温度在300℃时,薄膜的光学带隙由3．29 eV 增大到3．34 eV,表面粗糙层由4．68 nm 减少到2．89 nm。因此,H 2 O 2可以在相对低温条件下有效降低薄膜内部的有机物残留及微缺陷,形成更加致密的 a-IGZO 薄膜。证明了利用 H 2 O 2能够有效降低溶液法制备 a-IGZO 薄膜所需的退火温度。
关键词:
a-IGZO 薄膜
,
H2O2 溶液
,
椭圆偏振光谱
,
致密性
